我國(guó)科研團(tuán)隊(duì)在下一代芯片領(lǐng)域取得重大突破
發(fā)布時(shí)間：2024-07-23 13:13:25 來(lái)源：ABB 瀏覽次數(shù)：19936
7月22日消息，北京大學(xué)電子學(xué)院碳基電子學(xué)研究中心彭練矛-張志勇團(tuán)隊(duì)在下一代芯片技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破，成功研發(fā)出世界首個(gè)基于碳納米管的張量處理器芯片（TPU）。
據(jù)悉，相關(guān)研究成果已于7月22日發(fā)表在《自然·電子學(xué)》上。北京大學(xué)電子學(xué)院碳基電子學(xué)研究中心的司佳助理研究員為該論文的第一作者，彭練矛院士和張志勇教授為通訊作者，北京郵電大學(xué)張盼盼特聘研究員為共同第一作者。
消息披露，該芯片由3000個(gè)碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成，能夠高效執(zhí)行卷積運(yùn)算和矩陣乘法。該芯片采用了新型器件工藝和脈動(dòng)陣列架構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)并行的2位整數(shù)乘積累加運(yùn)算。實(shí)驗(yàn)表明，基于該TPU的五層卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)可以在功耗僅為295μW的情況下，實(shí)現(xiàn)高達(dá)88%的MNIST圖像識(shí)別準(zhǔn)確率。
研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)優(yōu)化碳納米管制造工藝，獲得了純度高達(dá)99.9999%的半導(dǎo)體材料和超潔凈表面，從而制造出具有高電流密度和均勻性的晶體管。模擬結(jié)果顯示，采用180納米工藝節(jié)點(diǎn)的8位碳納米管TPU有望達(dá)到850MHz的主頻和每瓦1萬(wàn)億次運(yùn)算的能效水平。
這一成果標(biāo)志著碳納米管技術(shù)在芯片領(lǐng)域取得重大進(jìn)展，有望滿足人工智能時(shí)代對(duì)高性能、高能效芯片的需求。
